1、一文中講述了用紅外成像儀測功率半導體芯片溫度的案例使用熱成像儀時的注意事項為了實現精確測量，使用熱成像儀時需要注意如；功率MOSFET的頂部 將器件裝配在PCB上，Vgs=30V，通過電流為94A，工作10分鐘，然后用紅外熱成像儀分別測量它們的頂部溫度；導讀AT400系列工業在線式測溫紅外熱像儀，為用戶帶來實時測溫+精準分析新體驗，賦能千行百業作為紅外熱成像領軍者，艾睿；三星S8+FLIR紅外熱像儀1功率測試EnergyPad無線充電器在無負載的情況下，自耗功率約為01W三星S8 plus充電放上手機。

2、上期分析了Boson機芯的參數和應用領域，Boson長波紅外熱像儀機芯重新定義了尺寸重量和功率SWaP的革新標準，再次引領。

3、紅外熱像儀核心價值讓溫度“看得見”邁瑞迪SenXor專為解決嵌入式溫度成像痛點而生· 微型化革命9*9*8mm3極致封裝比；在眾多熱分析工具中，紅外熱像儀IR Thermography 憑借其非接觸全場實時測溫的獨特優勢，成為芯片熱管理工程師們手中的。